p;其实这是高振东没办法，他不知道现在到底哪一种能搞成，总之65年这东西是有的，干脆把几种常见的光刻胶的路线都给写了上去，你做出来哪种算哪种，无非就是正胶负胶的区别，都能用。
一个技术刚兴起的时候，自由度是最大的，不用考虑太细节的东西，而且配套技术不用考虑技术路线的差别带来的性能差异，因为要求还没高到那份上，大概就是能用就行，整出来就算本事。
像日后光刻技术那一大堆高级技术在这个年代都不用考虑，根本用不上，也没条件用上。
搞个10微米100微米的光刻，就想着把浸润光刻、多重曝光、euv光源这些弄上来无疑是吃饱了撑着了。
且不说这些美滋滋的配套厂所，高振东自己，正在和厂里的一堆八级工研究工件台的事情，虽然不搞多重曝光，但是套刻还是需要的，工件台的定位精度还是要考虑。
套刻，就是把多个图形分多次刻到同一工件上，形成一个完整的图形。
如果只是刻一次，那倒不需要管套刻精度，只要保证光的投射范围都在晶圆上以及光投影精度即可，可是在集成电路工艺里，是要分很多次光刻，来形成不同结构，而且这些结构之间又有电路连接，所以套刻精度还是要保证的。
至于双工件台，就先扔一边了，一个工件台还没搞利索呢，想那么多是给自己找麻烦。
“高总，你这个东西的定位精度要半丝？”一群老八级工有点嘬牙。
1丝，从机加工的角度，等于10微米，半丝，5微米。
高振东点点头：“嗯，先不考虑移动定位精度，就考虑两个工件固定时定位的相对精度就可以。”
如果微缩投影还没搞通的话，那移动定位精度就意义不大，因为不需要在晶圆上一个芯片一个芯片的刻，而是一次性投影出整个晶圆的图像，这种情况下，哪怕套刻，主要考虑的也就是模版、晶圆固定时的相对位置精度了。
之所以一开始都是搞的接触式或者接近式光刻机，这就是原因，技术简单得多啊。几位老师傅，包括易中海在内，放下了大半的心，这个就好办多了。
高振东把整个光刻机机械部分的要求发给他们，并给他们一一解释，光刻机可不只前面那么一点东西，比如光刻胶的涂覆、无尘环境的生成等等
其实早期的光刻机，看起来像个化学实验室的通风橱柜似的，而且还带显微镜，用于人工调整观察，又像一个生物上用的玩意，反正就是不像个工业上用的机器，完全没有后来看起来那么高大上。
听了高振东的要求，所有的老师傅觉得这还是有门儿的，问题不大，领了任务就去工作了，这些老师傅，有的是三分厂的，有的是从其他车间临时借来帮忙的，不管哪儿来的，反正这段时间都要在三分厂的研究场地里干活了。
至于其他部分工艺，都交给1274厂了，他们那边条件成熟，好歹还是专业半导体厂嘛。
与此同时，保卫
